基本情報

写真a

吉村 武

Yoshimura Takeshi

ヨシムラ タケシ


所属組織

電子数物系

職名

准教授

ホームページ

http://www.pe.osakafu-u.ac.jp/pe7/yoshimura/yoshimura.html

担当学部等 【 表示 / 非表示

  • 工学域

  • 工学研究科・工学部

研究分野 【 表示 / 非表示

  • 電気電子材料工学

研究テーマ 【 表示 / 非表示

  • 強誘電性半導体を用いた新規演算素子の開発

  • 非鉛圧電体薄膜の開発と評価

  • 高効率振動発電デバイスの開発

研究内容 【 表示 / 非表示

  • (概要)酸化物半導体

    (キーワード) トランジスタ,エピタキシャル,自発分極

    (関連する産業分野)電気電子・情報,通信

  • (概要)強誘電体薄膜

    (キーワード) 不揮発性メモリ,自発分極,分極反転

    (関連する産業分野)電気電子・情報,通信

  • (概要)高効率振動発電デバイスの開発

    (キーワード) 非鉛圧電体,MEMS,電界誘起構造相転移,ドメインエンジニアリング

    (関連する産業分野)電気電子・情報,通信

  • (概要)電気熱量効果に関する研究

    (キーワード) 強誘電体,ヒートポンプ

    (関連する産業分野)エネルギー

取得学位 【 表示 / 非表示

  • 博士(工学)

所属学会 【 表示 / 非表示

  • 応用物理学会

  • 電気学会

  • 日本セラミックス協会

  • 日本真空協会

  • グリーンシステム技術分科会

受賞 【 表示 / 非表示

  • 第29回エレクトロセラミックス研究討論会最優秀賞,2009年10月,(社)日本セラミックス協会

  • 第30回(2013年度) 優秀発表賞,2013年10月,強誘電体応用会議

  • 2014年度APEX/JJAP編集貢献賞,2015年04月,応用物理学会

 

研究シーズ 【 表示 / 非表示

  • MEMSデバイスの開発

  • 圧電体薄膜の開発およびその応用

  • 強誘電体物性

  • 強誘電体薄膜を利用した電子デバイスの開発

  • 薄膜トランジスタの開発

著書 【 表示 / 非表示

  • エネルギーハーベスティングの設計と応用展開,シーエムシー出版,2015年10月,共著,吉村 武

論文 【 表示 / 非表示

  • Piezoelectric Vibrational Energy Harvester Using Lead-Free Ferroelectric BiFeO3 Films,Appl. Phys. Express,2013年05月,Takeshi Yoshimura,Shuichi Murakami,Keisuke Wakazono,Kento Kariya,Norifumi Fujimura

  • Direct Piezoelectric Properties of (100) and (111) BiFeO3 Epitaxial Thin Films,Applied Physics Letters,2012年03月,K. Ujimoto, T. Yoshimura, A. Ashida and N. Fujimura

  • Direct piezoelectric properties of Mn-doped ZnO epitaxial films,Japanese Journal of Applied Physics(2010),2010年02月,T. Yoshimura, H. Sakiyama, T. Oshio, A. Ashida, N. Fujimura

 

授業担当科目 【 表示 / 非表示

  • 電子セラミックス特論

  • 電子物理計測